Высококачественный полупроводниковый лазер 4-го класса для облегчения боли

Описание продукта

Лазерная классификация

Полупроводниковый лазер 3B на GaAIAs

Длина волны лазера

808 нм и 650 нм

Выходная мощность зонда А

1 лазерный диод с длиной волны 808 нм

Выходная мощность датчика B

11 лазерных лучей с длиной волны 650 нм и 4 лазерных луча с длиной волны 808 нм

Максимальная выходная мощность

Датчик A имеет мощность 180 мВт, а датчик B имеет мощность 775 мВт.

Настройки времени

10-60 минут и 6 регулируемых уровней

Рабочая температура

-40-55°С

Относительная влажность

ниже 80%

Давление воздуха

86 кПа-106 кПа

Размер (см)

Продукт

34*24*16

Упаковка

36,2*25,4*30,2

Вес (кг)

4,7 кг